石墨烯它一種半導體材料，它的性能是非常優(yōu)異的，比硅的特性要好的很多，電子在石墨烯中的運行速度能夠達到光速的1/300，比在其他介質中的運行速度不能低反而要高出非常多，并且產出的熱量并不是很多。
這一點毋庸置疑就是石墨烯的發(fā)展前景是非常好的，但這些性能都是基于其微觀的納米尺度，如果直接用將會是非常大的困難。所以面對這樣的困難，把納米尺度的石墨烯制備成宏觀的薄膜材料并且保持其納米效應。采用化學還原氧化石墨烯并采用真空抽濾的方法制備石墨烯薄膜，結果顯示用該方法制備的20微米薄膜，適合大規(guī)模工業(yè)制備。
與此同時，針對石墨烯薄膜與二氧化硅界面接觸熱阻大的困擾，如何解決這中困擾呢就是采用在石墨烯薄膜與二氧化硅界面引入功能化分子的方法。這種方法可以把困擾的難度降到最低。
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